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4英寸3C N型碳化硅衬底

产品介绍

3C N型SiC具有更高的电子迁移率(3C-SiC,1100 cm2/V∙s;4H-SiC,900 cm2/V∙s),同时由于3C-SiC具有更小的禁带宽度,可使器件在氧化层制备上具有更小的FN隧穿电流以及可靠性,能大幅度提高器件产品良率。

主要指标

晶型:3C     尺寸:50.8±0.38 mm              

厚度:350±25μm   微管密度:<0.1 cm-2

电阻率≤0.0006 Ω∙cm


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