北京晶格领域半导体有限公司（ 以下简称“晶格领域”）于2020年6月成立，是集碳化硅（SiC）衬底研发、生产及销售于一体的创新型高技术企业。晶格领域掌握具有自主知识产权的液相法碳化硅单晶生长技术，能有效提高晶体质量，降低生产成本，并能制备出高质量4H-p型碳化硅和3C-n型立方碳化硅衬底，对推动宽禁带半导体产业的发展具有重要意义。

晶格领域已年建成年产能为5000片的4-6寸液相法碳化硅衬底试验线，年产能为2.5万片的6-8寸线也于2023年启动建设，将于2025年初完成建设。

晶格领域已成功突破4-8英寸p型和4-6寸3C-n型碳化硅单晶生长技术，晶体尺寸、晶体质量与厚度均处于国际领先水平。

晶格领域注重人才发展，拥有多种人才发展渠道，励志打造一支技术过硬、业务精湛的专业技术团队，发展成为国内一流、行业领先的前瞻性创新企业，促进第三代半导体产业发展。

       行业背景：

       碳化硅作为宽禁带半导体代表材料之一，其大禁带宽度、高临界击穿场强等性质，使其成为制造高频、大功率、抗辐照及光电集成器件的理想材料，已广泛应用于新能源汽车、5G通信、航空航天、轨道交通等众多领域，并已被列入国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要，是未来高新技术产业的桥头堡。

       碳化硅产业链主要包括“衬底-外延-器件-封装-应用”等环节，晶格领域处于碳化硅半导体产业链的最前端--衬底材料的制备，是高端芯片产业发展的基础和关键。目前国内碳化硅衬底制备企业均采用的是PVT法，晶格领域采用的液相法生长技术相比于PVT法，具有生长的晶体质量高、缺陷少、成品率高等优势，同时采用液相法可以有效解决PVT法难以生长高质量p型碳化硅和n型立方碳化硅的难题，可填补P型碳化硅衬底和n型立方碳化硅衬底空白。