北京晶格领域半导体有限公司
公司简介

北京晶格领域半导体有限公司( 以下简称“晶格领域”)于2020年6月成立,是集碳化硅(SiC)衬底研发、生产及销售于一体的创新型高技术企业。晶格领域掌握具有自主知识产权的液相法碳化硅单晶生长技术,能有效提高晶体质量,降低生产成本,并能制备出高质量4H-p型碳化硅和3C-n型立方碳化硅衬底,对推动宽禁带半导体产业的发展具有重要意义。

晶格领域已年建成年产能为5000片的4-6寸液相法碳化硅衬底试验线,年产能为2.5万片的6-8寸线也于2023年启动建设,将于2025年初完成建设。

晶格领域已成功突破4-8英寸p型和4-6寸3C-n型碳化硅单晶生长技术,晶体尺寸、晶体质量与厚度均处于国际领先水平。

晶格领域注重人才发展,拥有多种人才发展渠道,励志打造一支技术过硬、业务精湛的专业技术团队,发展成为国内一流、行业领先的前瞻性创新企业,促进第三代半导体产业发展。


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       行业背景:

       碳化硅作为宽禁带半导体代表材料之一,其大禁带宽度、高临界击穿场强等性质,使其成为制造高频、大功率、抗辐照及光电集成器件的理想材料,已广泛应用于新能源汽车、5G通信、航空航天、轨道交通等众多领域,并已被列入国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要,是未来高新技术产业的桥头堡。

       碳化硅产业链主要包括“衬底-外延-器件-封装-应用”等环节,晶格领域处于碳化硅半导体产业链的最前端--衬底材料的制备,是高端芯片产业发展的基础和关键。目前国内碳化硅衬底制备企业均采用的是PVT法,晶格领域采用的液相法生长技术相比于PVT法,具有生长的晶体质量高、缺陷少、成品率高等优势,同时采用液相法可以有效解决PVT法难以生长高质量p型碳化硅和n型立方碳化硅的难题,可填补P型碳化硅衬底和n型立方碳化硅衬底空白。

地址:北京市顺义区顺强路1号嘉德工场4号楼

邮编:101300

联系方式:010-81477486

邮箱:lattice@jinggelingyu.com

 

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